申请/专利权人：科磊股份有限公司

申请日：2022-09-05

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117751285A

主分类号：G01N23/2251

分类号：G01N23/2251;H01L21/66;H01J37/143;H01J37/09

优先权：["20210909 US 17/470,183"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本公开提供一种检验系统及一种杂散场减轻的方法。所述系统包含电子束柱阵列、第一永久磁铁阵列及多个屏蔽板。所述电子束柱阵列各自包含经配置以朝向载物台发射电子的电子源。所述第一永久磁铁阵列经配置以将来自每一电子源的所述电子会聚成电子束阵列。所述第一永久磁铁阵列布置在所述电子束柱阵列的第一端处。所述多个屏蔽板在所述第一永久磁铁阵列下游在电子发射的方向上跨越所述阵列电子束柱延伸。所述电子束阵列穿过所述多个屏蔽板中的每一者中的多个孔隙，这减少在所述电子束阵列的径向方向上的杂散磁场。

主权项：1.一种检验系统，其包括：电子束柱阵列，所述电子束柱各自包括经配置以朝向载物台发射电子的电子源；第一永久磁铁阵列，其经配置以将来自每一电子源的所述电子会聚成电子束阵列，其中所述第一永久磁铁阵列布置在所述电子束柱阵列的第一端处；及多个屏蔽板，其在所述第一永久磁铁阵列下游在电子发射的方向上跨越所述电子束柱阵列延伸；其中所述多个屏蔽板各自包括多个孔隙且具有介于1μm与1mm之间的厚度，且所述电子束阵列穿过所述多个孔隙；及借此所述多个屏蔽板减少在所述电子束阵列的径向方向上的杂散磁场。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 科磊股份有限公司 用于减轻永久磁铁阵列的杂散场的屏蔽策略

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