申请/专利权人：无锡华润上华科技有限公司

申请日：2022-09-05

公开（公告）日：2024-03-12

公开（公告）号：CN117690947A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/423;H01L21/331;H01L29/735;H01L29/739

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.29#实质审查的生效;2024.03.12#公开

摘要：本发明涉及一种耗尽型阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：漂移区，具有第一导电类型；集电区，设于所述漂移区中，具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；阳极区，具有第一导电类型；第二导电类型掺杂区，与所述阳极区直接接触，且至少一部分位于所述阳极区与所述漂移区之间；所述第二导电类型掺杂区的掺杂浓度小于所述集电区的掺杂浓度；第一导电类型埋藏区，位于所述阳极区的下方，且与所述第二导电类型掺杂区直接接触；所述第一导电类型埋藏区的多数载流子浓度大于所述第二导电类型掺杂区的多数载流子浓度。本发明能够改善器件的电压折回的现象。

主权项：1.一种耗尽型阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：漂移区，具有第一导电类型；集电区，设于所述漂移区中，具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；阳极区，具有第一导电类型；第二导电类型掺杂区，与所述阳极区直接接触，且至少一部分位于所述阳极区与所述漂移区之间；所述第二导电类型掺杂区的掺杂浓度小于所述集电区的掺杂浓度；第一导电类型埋藏区，位于所述阳极区的下方，且与所述第二导电类型掺杂区直接接触；所述第一导电类型埋藏区的多数载流子浓度大于所述第二导电类型掺杂区的多数载流子浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡华润上华科技有限公司 耗尽型阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

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