申请/专利权人：夸泰克(广州)新材料有限责任公司

申请日：2024-01-12

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117712244A

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00;H01L33/10;H01L33/46

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明属于发光二极管外延技术领域，具体涉及一种旋涂DBR结构制备方法，包括：S1、选取蓝宝石或硅片作为基底；S2、将液体旋涂材料QHN和液体旋涂材料QLN交替旋涂堆叠在所述基底上；所述液体旋涂材料QHN和所述液体旋涂材料QLN交替堆叠11‑17层,并且最上层为液体旋涂材料QHN；所述液体旋涂材料QLN为氧化硅材料，折射率小于1.2；所述液体旋涂材料QHN为氧化钛材料，折射率大于2.1。本发明的旋涂DBR结构制备方法，操作方便，只需要旋涂机即可完成，并且获得的DBR结构具有极高的反射率。

主权项：1.一种旋涂DBR结构制备方法，包括：S1、选取蓝宝石或硅片作为基底；S2、将液体旋涂材料QHN和液体旋涂材料QLN交替旋涂堆叠在所述基底上；所述液体旋涂材料QHN和所述液体旋涂材料QLN交替堆叠11-17层,并且最上层为液体旋涂材料QHN；所述液体旋涂材料QLN为氧化硅材料，折射率小于1.2；所述液体旋涂材料QHN为氧化钛材料，折射率大于2.1。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 夸泰克(广州)新材料有限责任公司 一种旋涂DBR结构制备方法

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