申请/专利权人：广东工业大学

申请日：2023-12-12

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117712826A

主分类号：H01S5/125

分类号：H01S5/125;H01S5/20;H01S5/183

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明公开了一种具有双顶部电介质DBR的VCSEL器件及其制备方法和应用，属于垂直腔面发射激光器技术领域。其结构从下到上依次包括：一衬底；一n‑型欧姆电极；一n‑型电子供给层；一多量子阱层；一p‑型电子阻挡层；一p‑型空穴供给层；一电流扩展层；一低反射率电介质DBR；一高反射率电介质DBR，与低反射率电介质DBR并列设置；一p‑型欧姆电极；其中，n‑型电子供给层具有沿多量子阱层到衬底方向设置的两斜面，斜面与多量子阱层105形成的两夹角均小于90°，且两夹角之和为90°；斜面上设置有侧壁反射镜。本发明器件避免对底部DBR进行外延制造，通过调控光在器件内部的路径，最终提高器件的输出功率。

主权项：1.一种具有双顶部电介质DBR的VCSEL器件，其特征在于，其结构从下到上依次包括：一衬底102；一n-型欧姆电极101，设置于所述衬底102的下表面；一n-型电子供给层104，设置于所述衬底102的上表面；一多量子阱层105，设置于所述n-型电子供给层104的上表面；一p-型电子阻挡层106，设置于所述多量子阱层105的上表面；一p-型空穴供给层107，设置于所述p-型电子阻挡层106的上表面；一电流扩展层108，设置于所述p-型空穴供给层107的上表面；一低反射率电介质DBR109，设置于所述电流扩展层108的上表面；一高反射率电介质DBR110，设置于所述电流扩展层108的上表面，与所述低反射率电介质DBR109并列设置；一p-型欧姆电极111，设置于所述电流扩展层108的上表面，所述p-型欧姆电极111包含低反射率电介质DBR109和所述高反射率电介质DBR110；其中，所述n-型电子供给层104具有沿所述多量子阱层105到所述衬底102方向设置的两斜面，所述斜面与所述多量子阱层105形成的两夹角均小于90°，且两夹角之和为90°；所述斜面上设置有侧壁反射镜103。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广东工业大学 一种具有双顶部电介质DBR的VCSEL器件及其制备方法和应用

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