申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2023-11-27

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117712150A

主分类号：H01L29/40

分类号：H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明提供一种LDMOS器件结构，包括第一导电类型的衬底，在所述衬底上形成有第一局部场氧化层以定义出有源区，在所述有源区上包括体区、漂移区、源端和漏端的形成区域，所述体区作为器件的沟道区；在所述漂移区上形成有第一局部场氧化层，从俯视角度观察，所述第一局部场氧化层为梳状，使得靠近所述沟道区的所述第一局部场氧化层在纵向上覆盖整个所述漂移区，在靠近所述漏端的所述第一局部场氧化层在纵向上覆盖部分所述漂移区；分别利用第二导电类型的离子在所述漂移区进行有离子注入、利用第一导电类型的离子在所述体区进行离子注入。本发明提出的LDMOS器件结构设计，无需额外增加光罩或工艺步骤，即可实现漂移区在横向上的不同掺杂分布。

主权项：1.一种LDMOS器件结构，其特征在于，至少包括：第一导电类型的衬底，在所述衬底上形成有第一局部场氧化层以定义出有源区，在所述有源区上包括体区、漂移区、源端和漏端的形成区域，所述体区作为器件的沟道区；在所述漂移区上形成有第一局部场氧化层，从俯视角度观察，所述第一局部场氧化层为梳状，使得靠近所述沟道区的所述第一局部场氧化层在纵向上覆盖整个所述漂移区，在靠近所述漏端的所述第一局部场氧化层在纵向上覆盖部分所述漂移区；分别利用第二导电类型的离子在所述漂移区进行有离子注入、利用第一导电类型的离子在所述体区进行离子注入，在所述漂移区中使得靠近所述沟道区的离子注入浓度低于靠近所述漏端的离子注入浓度，之后利用离子注入在所述漂移区下方形成有第一导电类型的resurf层；栅极结构，所述栅极结构包括栅极电介质层以及形成于所述栅极电介质层上的栅极层，所述栅极电介质层、所述栅极层的侧壁形成有侧墙；其中，所述栅极电介质层位于所述沟道区上方，所述栅极电介质层的一端与所述源端对准，所述栅极电介质层的另一端延伸至所述第一局部场氧化层上；利用第二导电类型的离子分别在所述源端、所述漏端进行重掺杂形成有重掺杂区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 LDMOS器件结构及其制造方法

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