申请/专利权人:江苏吉星新材料有限公司;北京中企祥科技有限公司
申请日:2023-11-01
公开(公告)日:2024-03-15
公开(公告)号:CN117702277A
主分类号:C30B33/00
分类号:C30B33/00;C30B33/02
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开
摘要:本发明涉及蓝宝石晶片加工技术领域,公开了一种修复蓝宝石晶片面型的方法。该方法包括:将蓝宝石晶片进行研磨处理和退火处理;研磨处理的方法包括:采用双面研磨;退火处理的方法包括:蓝宝石晶片的翘曲度为16‑25μm,退火处理在研磨处理之后进行;或者,蓝宝石晶片的翘曲度大于25μm,退火处理包括退火处理I和退火处理II,退火处理I的保温温度高于退火处理II的保温温度。本发明提供的修复蓝宝石晶片面型的方法能够改善蓝宝石晶片的翘曲度,从而能够极大地提高对翘曲度超标晶片进行修复的合格率。
主权项:1.一种修复蓝宝石晶片面型的方法,其特征在于,该方法包括:将待修复的蓝宝石晶片进行研磨处理和退火处理;所述研磨处理的方法包括:采用双面研磨,且研磨压力为10-18gmm2;所述退火处理的方法包括:所述待修复的蓝宝石晶片的翘曲度为16-25μm,所述退火处理在所述研磨处理之后进行;或者,所述待修复的蓝宝石晶片的翘曲度大于25μm,所述退火处理包括退火处理I和退火处理II,所述退火处理I的保温温度高于所述退火处理II的保温温度,且所述退火处理I在所述研磨处理之前进行,所述退火处理II在所述研磨处理之后进行;所述退火处理在匣钵中进行;所述匣钵中含有底部为拱形的空腔,且所述待修复的蓝宝石晶片采用凹面朝所述空腔底部的方式叠放于所述空腔内;所述拱形的拱高h1为3-5mm,且所述拱形的距离r1大于所述待修复的蓝宝石晶片的直径R1。
全文数据:
权利要求:
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