申请/专利权人：杭州电子科技大学

申请日：2022-02-24

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN114561644B

主分类号：C23F4/00

分类号：C23F4/00;C22C45/00;C22C1/11

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2022.06.17#实质审查的生效;2022.05.31#公开

摘要：本发明涉及一种网状结构的非晶纳米晶合金及其制备方法、应用，其制备方法，包括以下步骤：1将厚度小于50μm的非晶合金样品固定在离子减薄仪的支架上；2调整离子减薄仪的左、右离子枪的角度，在第一目标电压下对样品进行预处理第一目标时长；3减小左、右离子枪角度，降低施加电压至第二目标电压，在第二目标电压下对经过步骤2处理得到的样品进行处理第二目标时长，得到具有网状结构的非晶纳米晶合金。本发明采用离子减薄仪设备摆脱了高温对非晶合金样品的影响，可以有效解决非晶合金退火脆性对工业化应用的限制；其次，本发明制得的非晶纳米晶合金的纳米晶均匀分散在非晶骨架中，可得到更高的饱和磁感应强度和磁导率。

主权项：1.一种网状结构的非晶纳米晶合金的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将厚度小于50μm的非晶合金样品固定在离子减薄仪的支架上；（2）调整离子减薄仪的左、右离子枪的角度，在第一目标电压下对样品进行预处理第一目标时长；所述步骤（2）中，左、右离子枪的角度不低于±5°，第一目标电压不低于5keV，第一目标时长不低于30min；重复步骤（2），直至中间出现透光孔洞；（3）减小左、右离子枪角度，降低施加电压至第二目标电压，在第二目标电压下对经过步骤（2）处理得到的样品进行处理第二目标时长，得到具有网状结构的非晶纳米晶合金；所述步骤（3）中，左、右离子枪的角度不高于±5°，第二目标电压不高于5keV，第二目标时长不高于60min，且第二目标时长小于第一目标时长。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州电子科技大学 一种网状结构的非晶纳米晶合金及其制备方法、应用

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