申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司

申请日：2023-11-20

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117711912A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明涉及一种提升最终洗净后表面金属的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅片在清洗槽中采用HF和DIW的混合药液进行清洗，HF为49wt%的浓氢氟酸，DIW为纯水，同时结合超声波清洗。第二步：通过臭氧为强氧化剂进行清洗，再进行超纯水的洗净。第三步：采用NH4OH和H2O2组成的SC1溶液进行两次清洗。第四步：进行两次超纯水的清洗。第五步：中采用HF、H2O2和DIW组成的DHF溶液进行清洗。第六步：通过臭氧为强氧化剂进行清洗，再进行超纯水和超声波脉冲的洗净。通过改良后的清洗工艺，不仅使得颗粒清洗能力大幅提升，且有效的避免了药物残留等面检外观不良，与此同时，也实现了制成能力提升和产能优化。

主权项：1.一种提升最终洗净后表面金属的方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：硅片在清洗槽中采用HF和DIW的混合药液进行清洗，HF为49wt%的浓氢氟酸，DIW为纯水，同时结合超声波清洗；第二步：通过臭氧为强氧化剂进行清洗，再进行超纯水的洗净；第三步：采用NH4OH和H2O2组成的SC1溶液进行两次清洗；第四步：进行两次超纯水的清洗；第五步：采用HF、H2O2和DIW组成的DHF溶液进行清洗；第六步：通过臭氧为强氧化剂进行清洗，再进行超纯水和超声波脉冲的洗净。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 提升最终洗净后表面金属的方法

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