申请/专利权人：上海复通宝电子科技有限公司

申请日：2023-12-08

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117700857A

主分类号：C08L23/06

分类号：C08L23/06;C08L27/16;C08K3/34;C08K5/14;C08K3/04;C08K3/14

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明公开了一种高稳定二硅化钼导电PPTC材料，包括以下质量份的原料：高分子聚合物100份、导电填料450～800份、聚乙烯蜡润滑剂1～5份及硅化三钼10～50份；所述导电填料为二硅化钼粉末，或者二硅化钼粉末与导电石墨粉或和导电陶瓷粉的混合物。本发明的二硅化钼导电PPTC材料具有低电阻、稳定、易于加工等优点，能够应用于过流保护及温敏传感器等领域。

主权项：1.一种高稳定二硅化钼导电PPTC材料，其特征在于，包括以下质量份的原料：高分子聚合物100份、导电填料450～800份、聚乙烯蜡润滑剂1～5份及硅化三钼10～50份；所述导电填料为二硅化钼粉末，或者二硅化钼粉末与导电石墨粉或和导电陶瓷粉的混合物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海复通宝电子科技有限公司 一种高稳定二硅化钼导电PPTC材料及其制备方法

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