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【发明授权】非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质_芯天下技术股份有限公司_202110729052.2 

申请/专利权人:芯天下技术股份有限公司

申请日:2021-06-29

公开(公告)日:2024-03-15

公开(公告)号:CN113409865B

主分类号:G11C16/34

分类号:G11C16/34;G11C16/14

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.15#授权;2021.10.08#实质审查的生效;2021.09.17#公开

摘要:本发明提供了一种非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质,通过对选定的存储单元进行擦除操作;对所述选定的存储单元进行擦除验证,并在执行擦除验证的读操作时对选中的存储单元的栅极施加第一电压,对未选中的存储单元的栅极施加第一负电压;从而有利于使未选中的存储单元完全关断,因而不会产生额外的漏极电流,进而降低把未擦除成功的存储单元读成擦除成功的存储单元的概率。

主权项:1.一种非易失性存储器擦除方法,其特征在于,包括步骤:A1.对选定的存储单元进行擦除操作;A2.对所述选定的存储单元进行擦除验证,并在执行擦除验证的读操作时对选中的存储单元的栅极施加第一电压,对未选中的存储单元的栅极施加第一负电压;步骤A1包括:获取选定的存储单元的识别信息;根据所述识别信息对相应的存储单元施加擦除脉冲;在对相应的存储单元施加擦除脉冲的时候,按照各存储单元所需的擦除电压所处的电压范围把选定的存储单元分为多组,同一组存储单元所需的擦除电压在同一电压范围内,并逐组地对各组存储单元加擦除脉冲,同一组的存储单元同时施加擦除脉冲,且施加的擦除脉冲的电压为该组存储单元的特征电压;所述特征电压为该组存储单元中各存储单元所需的擦除电压的最大值、最小值或平均,或者为该组存储单元中各存储单元所需的擦除电压所在的所述电压范围的最大值、最小值或中间值。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 芯天下技术股份有限公司 非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质

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