申请/专利权人：北京科技大学

申请日：2023-11-29

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727817A

主分类号：H01L31/0336

分类号：H01L31/0336;H01L31/112;B82Y15/00;B82Y40/00;H01L31/0224;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明提供了一种CuOxWSe2异质结界面及其构筑方法、应用，涉及异质结界面的技术领域，构成该异质结界面的CuOx的颗粒尺寸在10nm以下，其x的取值为0.5～1。本发明解决了亚10nm尺寸的异质结界面敏感、不易产生积极作用、构建工艺复杂以及界面调控易失效的技术问题，达到了构筑工艺简单、重复性高、构筑得到的亚10nm尺寸的CuOxWSe2异质结界面具有极高的空气稳定性、无应力累积，以及没有过多的缺陷和成键态的技术效果，同时其界面相互作用以载流子迁移为主，在光电方面的应用存在较高的潜力。

主权项：1.一种CuOxWSe2异质结界面，其特征在于，所述异质结界面的CuOx的颗粒尺寸在10nm以下；其中，x的取值为0.5～1。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京科技大学 CuO_x/WSe₂异质结界面及其构筑方法、应用

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