申请/专利权人：上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727621A

主分类号：H01L21/304

分类号：H01L21/304;B24B1/00;B24B29/02;B24B49/00;B24B49/16

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本专利申请了一种提高外延片表面平坦度的方法，其方法为先对处理过的衬底进行外延生长，生长外延层达到一定的预设厚度，再通过清洗、抛光、边抛等工艺将生长的外延层抛光至目标外延层厚度以及边缘形貌，最终使表面平坦度达到使用要求；本方法利用后抛光外延层的方法，降低了由外延生长不均匀以及衬底硅片表面问题所导致的外延层表面平坦度不良，从而有效的提高了产品良率。

主权项：1.一种提高外延片表面平坦度的方法，其特征在于，包括以下步骤：1）首先去除单晶硅片表面氧化层，之后经过加热到预定温度，随即通入硅源进行外延层生长，根据产品目标外延层厚度设计此步骤中的外延层生长厚度记为设定厚度，生长外延膜至设定厚度，从而得到硅外延片；2）对生长外延膜后的硅外延片进行第一次清洗；3）对第一次清洗后的外延片进行表面双面抛光；4）对抛光后的外延片进行第二次清洗；5）对第二次清洗后的外延片进行边抛；6）边抛后的外延片进行第三次清洗，清洗完成后即为目标外延片。

全文数据：

权利要求：

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