申请/专利权人：北京邮电大学

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117725745A

主分类号：G06F30/20

分类号：G06F30/20;G06F30/367;G06F111/10

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明公开了一种高速差分电路中键合线失效对电磁辐射性能影响的预测方法。本发明包括：首先设计带有键合线互连的高速差分电路，并对键合线进行失效处理；之后分别建立不同退化程度的高速差分电路的三维电磁场模型，仿真分析不同退化程度的高速差分电路在探针处的电磁辐射强度；之后提取寄生参数，搭建等效电路模型；之后推导不同退化程度的高速差分电路在探针处的总辐射场；最后对比仿真分析结果和理论计算结果，评估误差。本发明采用仿真分析和理论推导相结合的方式，提出了带有不同失效数量的键合线的电磁辐射强度评估方案，该方法可以准确便捷的预测在芯片服役过程中键合线失效对电磁辐射性能的影响。

主权项：1.一种高速差分电路中键合线失效对电磁辐射性能影响的预测方法，其特征在于：设计带有键合线的高速差分电路，并对键合线进行失效处理；分别建立不同退化程度的高速差分电路的三维电磁场模型，仿真分析不同退化程度的高速差分电路在探针处的电磁辐射强度；提取寄生参数，搭建等效电路模型；推导不同退化程度的高速差分电路在探针处的总辐射场；对比仿真分析结果和理论计算结果，评估理论预测模型的误差。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京邮电大学 一种高速差分电路中键合线失效对电磁辐射性能影响的预测方法

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