申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司

申请日：2024-02-08

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727792A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：一种超结碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，包括左右对称的两个子场效应管结构，对称的切面为矢状面，子场效应管结构包括衬底、漂移层、第一阱、第一有源层、栅极结构、源极沟槽、半导体柱、第一有源区至第三有源区；衬底、漂移层、第一阱、第一有源层至下而上依次设置；栅极结构覆盖漂移层、第一阱和第一有源区，位于矢状面一侧的源极沟槽均贯穿第一有源区和第三有源区；第一有源区位于漂移层上表面且设置于源极沟槽侧面；第二有源区位于源极沟槽底部和侧面下方且设置于半导体柱上表面；第三有源区位于第一有源区和第二有源区之间且设置于源极沟槽侧面；续流通道易于开启，减小导通损耗和芯片面积，简化工艺。

主权项：1.一种超结碳化硅晶体管的结构，其特征在于，包括左右对称的两个子场效应管结构，左右对称的切面为矢状面，所述子场效应管结构包括：衬底；位于所述衬底的上表面的漂移层；位于所述漂移层上表面的第一阱；位于所述第一阱上表面的第一有源层；位于远离所述矢状面一侧且覆盖所述漂移层、所述第一阱和所述第一有源层的栅极结构；位于所述漂移层上表面且设置于源极沟槽侧面的第一有源区；位于源极沟槽底部并位于所述源极沟槽侧面下方且设置于半导体柱的上表面的第二有源区；位于所述第一有源区和所述第二有源区之间且设置于所述源极沟槽侧面的第三有源区；位于所述矢状面一侧且贯穿所述第一有源区和所述第三有源区的源极沟槽；位于所述第二有源区下表面的所述半导体柱；其中，所述半导体柱、所述第一阱、所述第一有源区和所述第二有源区为第一类型；所述衬底、所述漂移层、第一有源层和所述第三有源区为第二类型。

全文数据：

权利要求：

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