申请/专利权人：铠侠股份有限公司

申请日：2023-08-09

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727351A

主分类号：G11C11/408

分类号：G11C11/408;G11C11/4097;G11C5/06

优先权：["20220916 JP 2022-148181"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明的课题在于提高存储器器件的性能且抑制制造成本。实施方式的存储器器件包含多个字线、多个位线及多个晶体管。多个字线分别在第1方向上延伸设置，且在第2方向上排列。多个位线分别在第2方向上延伸设置，且在第1方向上排列。多个晶体管包含：多个第1晶体管，栅极端连接于第1字线；及多个第2晶体管，栅极端连接于第2字线。多个第1晶体管与多个第2晶体管在第1方向上相互交错配置。多个位线包含第1至第4位线。第1及第3位线连接于第1及第2晶体管各自的另一端。第2及第4位线连接于第1或第2晶体管的另一端。

主权项：1.一种存储器器件，具备：多个字线，分别在第1方向上延伸设置，且在与所述第1方向交叉的第2方向上排列；多个位线，分别在所述第2方向上延伸设置，且在所述第1方向上排列；多个晶体管，分别具有在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上延伸设置的通道；多个电容器，各自的一电极分别连接于所述多个晶体管各自的一端；及板线，连接有所述多个电容器各自的另一电极；且所述多个晶体管包含：多个第1晶体管，栅极端连接于所述多个字线中所包含的第1字线；及多个第2晶体管，栅极端连接于包含在所述多个字线中且与所述第1字线相邻的第2字线；所述多个第1晶体管与所述多个第2晶体管在所述第1方向上相互交错配置，所述多个位线包含在所述第1方向上依序排列的第1至第4位线，所述第1位线及所述第3位线各自连接于所述第1晶体管及所述第2晶体管各自的另一端，所述第2位线连接于所述第1晶体管的另一端且不连接于所述第2晶体管的另一端，所述第4位线连接于所述第2晶体管的另一端且不连接于所述第1晶体管的另一端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 铠侠股份有限公司 存储器器件

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