申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所

申请日：2023-11-08

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117723267A

主分类号：G01M11/02

分类号：G01M11/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明属于光学相干域偏振测量技术领域，具体涉及一种基于双折射色散补偿的Y波导芯片消光比测量方法及系统。基于双折射色散补偿的Y波导芯片消光比测量方法，包括以下步骤：获取Y波导芯片消光比受色散影响的干涉信号；基于干涉信号面积的对称度变化地补偿三阶双折射色散；基于三阶双折射色散补偿后的干涉信号面积的集中度变化补偿二阶双折射色散；基于二阶双折射色散补偿后的干涉信号获取Y波导芯片消光比。本发明分析了干涉信号形状变化与三阶、二阶双折射色散之间的关系，逐步地修复三阶和二阶双折射色散，使干涉信号不再发生畸变，进而提高Y波导芯片消光比的测量精度。

主权项：1.一种基于双折射色散补偿的Y波导芯片消光比测量方法，其特征在于，包括以下步骤：获取Y波导芯片消光比受色散影响的干涉信号；基于干涉信号面积的对称度变化地补偿三阶双折射色散；基于三阶双折射色散补偿后的干涉信号面积的集中度变化补偿二阶双折射色散；基于二阶双折射色散补偿后的干涉信号获取Y波导芯片消光比。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第四十一研究所 基于双折射色散补偿的Y波导芯片消光比测量方法及系统

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