申请/专利权人：芯越微电子材料(嘉兴)有限公司

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117720858A

主分类号：C09G1/02

分类号：C09G1/02;H01L21/306

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明提供了一种用于氧化镓的化学机械抛光液及抛光方法，抛光液包括研磨颗粒；至少一种提供金属阳离子的金属盐，所述金属阳离子选自Na+、K+、Ca2+和Mg2+中的一种或多种；和水。本发明采用特定种类的金属盐添加至抛光液中对氧化镓进行研磨，能够提供较快的去除速率和较低的表面粗糙度；还对晶片表面亲水性有较大改善，进而提升衬底晶片的加工效率和质量。实验结果表明：抛光后的氧化镓基板的接触角为23.3°～42.2°；抛光速度达到1587～4421nmh，表面粗糙度为0.103～0.641nm。

主权项：1.一种用于氧化镓的化学机械抛光液，包括研磨颗粒；至少一种提供金属阳离子的金属盐，所述金属阳离子选自Na+、K+、Ca2+和Mg2+中的一种或多种；和水。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 芯越微电子材料(嘉兴)有限公司 一种用于氧化镓的化学机械抛光液及抛光方法

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