申请/专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727777A

主分类号：H01L29/47

分类号：H01L29/47;H01L29/872;H01L29/778;H01L29/40;H01L21/28

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本申请公开了一种肖特基结的特性调控方法、结构及其应用。所述特性调控方法包括：使金属电极与宽禁带半导体形成肖特基接触，该金属电极用于与宽禁带半导体接触的表面具有第一、第二区域，第一、第二区域分别由第一、第二金属形成，第二区域环绕第一区域设置，第二金属的功函数低于第一金属的功函数；以金属电极为掩膜对宽禁带半导体进行刻蚀形成台面结构；至少在台面结构的侧壁上制作场板结构；通过调整第一、第二金属中任一者的种类和或任一者与宽禁带半导体的接触面积在金属电极与宽禁带半导体的接触面积中的占比，实现对肖特基结特性的调控。本申请可实现较大范围内的肖特基势垒高度的精细调控，同时提升关态特性，综合提高器件的电学性能。

主权项：1.一种肖特基结的特性调控方法，其特征在于，包括：至少以第一金属和第二金属制作金属电极，并使所述金属电极与宽禁带半导体形成肖特基接触，其中所述金属电极用于与宽禁带半导体形成肖特基接触的表面具有第一区域和第二区域，所述第一区域、第二区域分别由第一金属、第二金属形成，且所述第二区域环绕第一区域设置，所述第二金属的功函数低于第一金属的功函数；以所述金属电极为掩膜对所述宽禁带半导体进行刻蚀，从而形成台面结构；至少在所述台面结构的侧壁上依次覆设介质层和场板金属，以形成场板结构；至少通过调整第一金属和第二金属中任一者的种类和或任一者与宽禁带半导体的接触面积在所述金属电极与宽禁带半导体的接触面积中所占的比例，实现对所述肖特基结特性的调控。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 肖特基结的特性调控方法、结构及其应用

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