申请/专利权人：华天慧创科技(西安)有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117724292A

主分类号：G03F7/00

分类号：G03F7/00;G02B5/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明涉及扩散片制备技术领域，公开了一种激光扩散片的制备方法，通过全面积压印将预置纳米结构图案的纳米压印模具转印至第一转印模板；由第一转印模板通过同种压印工艺将纳米结构图案转印至第二转印模板；再由经抗黏处理后的第二转印模板通过滚动式卷对板压印转印得到具有纳米结构反图案的第三转印模板；最后由第三转印模板经同种工艺压印得到产品；接着采用刻蚀工艺对压印产品的基底进行刻蚀，将纳米结构图案从压印胶层转移至压印基底，在压印基底上形成纳米结构图案，制备获得扩散片；本发明中光线扩散完全基于基材自身表面的微结构，不存在传统扩散片中扩散粒子对光的吸收，较传统扩散片能有效地提高光能利用率。

主权项：1.一种激光扩散片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，将微结构晶圆产品作为纳米压印模具，并在纳米压印模具上预置纳米结构图案；步骤2，将预置纳米结构图案的纳米压印模具放置在压印机上真空吸附，并在预置纳米结构图案上涂覆压印胶，将膜头基底通过全面积压印的方式压印在纳米压印模具的预置纳米结构图案上，使得预置纳米结构图案转移至模头基底上，脱模后得到具有纳米结构反图案的第一转印模板；步骤3，在第一玻璃晶圆基底上涂覆压印胶，将第一转印模板通过全面积压印的方式压印在玻璃晶圆基底上，并将第一转印模板上的纳米结构反图案转印至第一玻璃晶圆基底上，脱模后得到具有纳米结构图案的第二转印模板；步骤4，对第二转印模板上表面进行清净处理和抗黏处理，并采用旋涂方式在第二转印模板上均匀涂覆压印胶，将软模板压印在第二转印模板上，使得第二转印模板的纳米结构图案转印制软模板上，脱模后得到具有纳米结构反图案的第三转印模板；步骤5，在第二玻璃晶圆基底的表面旋涂一层压印胶，将第三转印模板的纳米结构反图案转印到第二玻璃晶圆基底的上表面，得到具有呈扩散片纳米结构图案的压印产品，对压印产品垂直刻蚀，将纳米结构图案完全转移至压印第二玻璃晶圆基底上，得到呈扩散片纳米结构的图案。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华天慧创科技(西安)有限公司 一种激光扩散片的制备方法

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