申请/专利权人：北京科技大学

申请日：2023-11-29

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117727816A

主分类号：H01L31/0336

分类号：H01L31/0336;H01L31/112;B82Y15/00;B82Y40/00;H01L31/0224;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明提供了一种CuOxWSe2异质结光电探测器及其制备方法，涉及光电探测器的技术领域，该光电探测器的异质结包括纵向混合维度的CuOxWSe2异质结；其中，x的取值范围为0.5～1；该异质结的CuOx的颗粒尺寸在10nm以下。本发明通过引入亚10nm尺寸具有大量铜空位的CuOx颗粒，从而提高p型WSe2的光电晶体管的光响应性能，在365nm～810nm的近红外到紫外波段，在不同的栅压下，能够使光响应度、比探测率以及外部量子效率得到较大提升，达到了在带来较大增益效果的同时却没有增加光电晶体管的响应时间的技术效果，实现了保持快速响应下的高增益光探测。

主权项：1.一种CuOxWSe2异质结光电探测器，其特征在于，所述异质结包括纵向混合维度的CuOxWSe2异质结；其中，x的取值范围为0.5～1；所述异质结的CuOx的颗粒尺寸集中在4～8nm之间，最大尺寸不超过10nm；所述光电探测器的金属电极包括Pd。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京科技大学 CuO_x/WSe₂异质结光电探测器及其制备方法

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