申请/专利权人：华邦电子股份有限公司

申请日：2022-09-08

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117729777A

主分类号：H10B63/00

分类号：H10B63/00;H10N70/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器RRAM及其制造方法，可有效控制导电通路的位置与形状，进而提升可靠度与效能的均一性。RRAM包含多个底部接触结构形成于基板中、多个存储器单元形成于基板上、及绝缘结构形成于相邻的存储器单元之间。存储器单元包含底电极层、两个L型电阻转换层、多个氧离子扩散阻挡层及顶电极层。底电极层形成于其中一个底部接触结构上。L型电阻转换层包含水平部分及垂直部分，且形成于底电极层上。氧离子扩散阻挡层形成于L型电阻转换层的垂直部分的内外侧壁上。L型电阻转换层位于顶电极层与底电极层之间。

主权项：1.一种电阻式随机存取存储器，其特征在于，包括：多个底部接触结构，形成于基板中；多个存储器单元，形成于所述基板上，其中，所述存储器单元的每一者包括：底电极层，形成于所述底部接触结构的其中一者上；两个L型电阻转换层，形成于所述底电极层上，其中所述L型电阻转换层的每一者包括水平部分及垂直部分；多个氧离子扩散阻挡层，形成于所述L型电阻转换层的所述垂直部分的每一者的内外侧壁上；及顶电极层，其中所述L型电阻转换层与所述氧离子扩散阻挡层位于所述顶电极层与所述底电极层之间；以及绝缘结构，形成于两个相邻的所述存储器单元之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华邦电子股份有限公司 电阻式随机存取存储器及其制造方法

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