申请/专利权人：沃孚半导体公司

申请日：2022-05-31

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117730418A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78

优先权：["20210624 US 17/357,103"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.05#实质审查的生效;2024.03.19#公开

摘要：一种功率半导体管芯，包括衬底和衬底上的漂移层。漂移层包括有源区、围绕有源区的边缘截止区和围绕边缘截止区的散热区。散热区被配置为减小功率半导体管芯的热阻。通过提供散热区，可以在不增加有源区的情况下增加功率半导体管芯的工作电压和或电流。此外，可以提高功率半导体管芯的制造成品率。

主权项：1.一种功率半导体管芯，包括：·衬底；和·衬底上的漂移层，所述漂移层包括：·有源区；·围绕所述有源区的边缘截止区；和·围绕所述边缘截止区的散热区，所述散热区被配置为减小所述功率半导体管芯的热阻。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 沃孚半导体公司 具有改进的热性能的功率半导体管芯

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