申请/专利权人：埃皮根股份有限公司

申请日：2018-06-19

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN110754002B

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L21/336;H01L29/51;H01L29/423;H01L29/20

优先权：["20170619 EP 17176699.1"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2020.04.14#实质审查的生效;2020.02.04#公开

摘要：一种用于模拟应用的高电子迁移率晶体管1，包括：衬底10；位于所述衬底10的顶部上的外延III‑N半导体层叠层20，所述外延III‑N半导体层叠层20包括：第一有源III‑N层22；以及包括凹部的第二有源III‑N层23；在其间具有二维电子气21；位于所述外延III‑N半导体层叠层20的顶部上的栅极30；以及位于所述外延III‑N半导体层叠层20与所述栅极30之间的钝化叠层40，其中所述钝化叠层40包括适于在所述栅极30未被偏置时耗尽所述二维电子气21的电子受体介电层41；其中所述电子受体介电层41在所述凹部24中延伸，并且包括与硅和或铝合金化的氮化镁。

主权项：1.一种用于模拟应用的高电子迁移率晶体管1，所述高电子迁移率晶体管1包括：-衬底10；-位于所述衬底10的顶部上的外延III-N半导体层叠层20，所述外延III-N半导体层叠层20包括有源层，所述有源层包括：第一有源III-N层22；以及第二有源III-N层23，所述第二有源III-N层包括位于栅极区31中的凹部24；在所述第一有源III-N层22与所述第二有源III-N层23之间具有二维电子气21；-位于所述外延III-N半导体层叠层20的顶部上并且位于所述栅极区31中的栅极30；以及-位于所述外延III-N半导体层叠层20与所述栅极30之间的钝化叠层40，其中，所述钝化叠层40包括电子受体介电层41，所述电子受体介电层适于在所述栅极30未被偏置时耗尽所述二维电子气21；其中，所述电子受体介电层41在所述凹部24中延伸，并且其中，所述电子受体介电层41包括掺杂有硅和或铝的氮化镁，并且其中，所述钝化叠层还包括氧化层42。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 埃皮根股份有限公司 高电子迁移率晶体管

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