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【发明授权】透明导电性薄膜_日东电工株式会社_202180021801.4 

申请/专利权人:日东电工株式会社

申请日:2021-03-18

公开(公告)日:2024-03-19

公开(公告)号:CN115315758B

主分类号:H01B5/14

分类号:H01B5/14;B32B9/04;B32B9/00;H01L31/0224;H01B5/16;H01B13/00;C23C14/08;C23C14/20;C23C14/34;H01Q1/38;H01Q1/52;H05K9/00;B32B7/00;B32B7/022;B32B7/023;B32B7/025;G02F1/1333;G02F1/1343;G06F3/041

优先权:["20200319 JP 2020-049864","20200420 JP 2020-074853","20200420 JP 2020-074854","20200807 JP 2020-134832","20200807 JP 2020-134833","20200821 JP 2020-140241","20201202 JP 2020-200421","20201202 JP 2020-200422"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.19#授权;2023.04.04#实质审查的生效;2022.11.08#公开

摘要:本发明的透明导电性薄膜X沿着厚度方向D依次具备树脂薄膜11和透光性导电层20。透光性导电层20在与厚度方向D正交的面内第一方向具有第一压缩残留应力,且在与厚度方向D和面内第一方向分别正交的面内第二方向具有比第一压缩残留应力小的第二压缩残留应力。第二压缩残留应力相对于第一压缩残留应力的比率为0.82以下。

主权项:1.一种透明导电性薄膜,其沿着厚度方向依次具备透明树脂基材和透光性导电层,所述透光性导电层为结晶质膜,所述透光性导电层在与所述厚度方向正交的面内第一方向具有第一压缩残留应力,且在与所述厚度方向和所述面内第一方向分别正交的面内第二方向具有比所述第一压缩残留应力小的第二压缩残留应力,所述第二压缩残留应力相对于所述第一压缩残留应力的比率为0.82以下。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 日东电工株式会社 透明导电性薄膜

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