申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2022-05-26

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN114959642B

主分类号：C23C16/44

分类号：C23C16/44;C23C16/505;C23C16/52

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.09.16#实质审查的生效;2022.08.30#公开

摘要：本发明提供一种降低CVD机台内金属离子含量的方法，包括：设置触发条件；进行腔室清洁工艺；进行第一薄膜沉积工艺，并获取第一累积膜厚；判断所述第一累积膜厚是否满足所述触发条件，若满足，将所述腔室清洁工艺及所述第一薄膜沉积工艺形成第一成组循环，且将所述第一成组循环重复多次；若不满足，进行第二薄膜沉积工艺，并获取第二累积膜厚；判断所述第二累积膜厚是否满足所述触发条件，若满足，将所述腔室清洁工艺、所述第一薄膜沉积工艺及所述第二薄膜沉积工艺形成第二成组循环，且将所述第二成组循环重复多次。通过本发明解决了以现有的方法需要时间较长，浪费晶圆且影响机台产出的问题。

主权项：1.一种降低CVD机台内金属离子含量的方法，其特征在于，所述方法包括：设置触发条件，所述触发条件包括薄膜沉积工艺腔的表面所沉积薄膜的累积膜厚处于预警值与极限值之间，其中，所述累积膜厚包括第一累积膜厚和第二累积膜厚，所述预警值小于所述极限值；进行腔室清洁工艺以析出薄膜沉积工艺腔内的金属离子并将其带出所述薄膜沉积工艺腔；进行第一薄膜沉积工艺，并获取所述薄膜沉积工艺腔表面所沉积薄膜的第一累积膜厚；判断所述第一累积膜厚是否满足所述触发条件，若满足，将所述腔室清洁工艺及所述第一薄膜沉积工艺形成第一成组循环，且将所述第一成组循环重复多次；若不满足，进行第二薄膜沉积工艺，并获取所述薄膜沉积工艺腔表面所沉积薄膜的第二累积膜厚；判断所述第二累积膜厚是否满足所述触发条件，若满足，将所述腔室清洁工艺、所述第一薄膜沉积工艺及所述第二薄膜沉积工艺形成第二成组循环，且将所述第二成组循环重复多次。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 降低CVD机台内金属离子含量的方法、存储介质及终端

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD