申请/专利权人：厦门大学

申请日：2021-07-13

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113608371B

主分类号：G02F1/017

分类号：G02F1/017;G02F1/015;G02F1/01

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.11.23#实质审查的生效;2021.11.05#公开

摘要：一种基于II类断带能隙量子阱的红外电吸收调制器，涉及半导体光电子领域。包含i至少一个吸收调制区，吸收调制区包含单周期或多周期的II类断带能隙量子阱结构；ii对II类断带能隙量子阱结构提供调制偏压的装置；一个周期单元的II类断带能隙量子阱结构由第一势垒、电子势阱、空穴势阱和第二势垒组成，电子势阱和空穴势阱置于第一势垒和第二势垒之间且不依赖相对叠放次序，电子势阱的体材料导带带边的能量低于空穴势阱的体材料价带带边的能量。可采用波导耦合构型或垂直入射构型，以较小偏压摆幅获得较大消光比，调制效率高。可同时对横磁模极化的中红外光和横电模极化的远红外光进行调制。器件覆盖面较小，适于半导体芯片集成。

主权项：1.一种基于II类断带能隙量子阱的红外电吸收调制器，其特征在于包含：i至少一个吸收调制区，吸收调制区包含单周期或多周期的II类断带能隙量子阱结构；ii对II类断带能隙量子阱结构提供调制偏压的装置，用于产生垂直于II类断带能隙量子阱结构材料层所在平面的电场；一个周期单元的所述II类断带能隙量子阱结构，由第一势垒、电子势阱、空穴势阱和第二势垒组成，所述电子势阱和空穴势阱置于第一势垒和第二势垒之间且不依赖相对叠放次序；所述电子势阱与空穴势阱相邻，电子势阱的体材料导带带边的能量低于空穴势阱的体材料价带带边的能量，形成II类断带能隙异质结；所述第一势垒和第二势垒对电子势阱和空穴势阱中的电子态波函数和空穴态波函数形成量子限制，导带最低子带带底的电子态波函数主体限制在电子势阱中，价带最高子带带顶的空穴态波函数主体限制在空穴势阱中；当在II类断带能隙量子阱结构两端施加开态偏压时，量子阱处于正常带隙相，电子势阱的导带最低子带带底的能量高于空穴势阱的价带最高子带带顶的能量；当在II类断带能隙量子阱结构两端施加关态偏压时，量子阱处于反转带隙相，电子势阱的导带最低子带带底的能量低于空穴势阱的价带最高子带带顶的能量。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门大学 一种基于II类断带能隙量子阱的红外电吸收调制器

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