申请/专利权人：旭化成株式会社;国立大学法人东海国立大学机构

申请日：2020-09-25

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN114342194B

主分类号：H01S5/343

分类号：H01S5/343

优先权：["20190927 JP 2019-177788"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.04.29#实质审查的生效;2022.04.12#公开

摘要：激光二极管1具备：AlN单晶的基板11；形成在基板上且包含具有n型导电性的氮化物半导体层的n型包层12；形成在n型包层上且包含一个以上量子阱的发光层14；形成在发光层上且包含具有p型导电性的氮化物半导体层的p型包层20；以及，形成在p型包层上且包含含有GaN的氮化物半导体的p型接触层18，p型包层具备p型纵传导层16和p型横传导层17，所述p型纵传导层16包含AlsGa1‑sN0.3≤s≤1，具有随着远离基板而Al组成s变小的组成倾斜，且所述p型纵传导层的膜厚小于0.5μm，所述p型横传导层17包含AltGa1‑tN0t≤1。

主权项：1.一种激光二极管，其具备：AlN单晶的基板；n型包层，其形成在所述基板上，且包含具有n型导电性的氮化物半导体层；发光层，其形成在所述n型包层上，且包含一个以上的量子阱；p型包层，其形成在所述发光层上，且包含具有p型导电性的氮化物半导体层；以及p型接触层，其形成在所述p型包层上，且包含含有GaN的氮化物半导体，所述p型包层具备：p型纵传导层，其包含AlsGa1-sN，具有随着远离所述基板而Al组成s变小的组成倾斜，且所述p型纵传导层的膜厚小于0.5μm，其中，0.3≤s≤1；以及p型横传导层，其包含AltGa1-tN，其中，0t≤1；其中，在所述p型横传导层与所述p型纵传导层的邻接面处，所述Al组成t大于所述Al组成s的最小值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 旭化成株式会社;国立大学法人东海国立大学机构 激光二极管

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