申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2019-11-22

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN111952333B

主分类号：H10B63/10

分类号：H10B63/10;H10B63/00;H10N70/20;H10N70/00

优先权：["20190517 KR 10-2019-0057764"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2020.12.04#实质审查的生效;2020.11.17#公开

摘要：本申请公开了电子器件和用于制造电子器件的方法。该电子器件可以包括半导体存储器。所述半导体存储器可以包括：行线；与行线交叉的列线；存储单元，其位于行线与列线的交叉区域中，所述存储单元包括上电极和下电极；以及界面层，其位于存储单元的下电极与行线之间，所述界面层的宽度比行线的宽度窄。

主权项：1.一种包括半导体存储器的电子器件，其中，所述半导体存储器包括：多个行线，每个所述行线在第一方向上延伸；与所述行线交叉的多个列线，每个所述列线在第二方向上延伸；多个存储单元，其相应地位于所述行线与所述列线的多个交叉区域中，每个所述存储单元都包括上电极和下电极；以及多个界面层，其位于所述存储单元的下电极与所述行线之间，每个所述界面层的第一宽度窄于所述行线中的对应的一个行线的第二宽度，并且每个所述界面层在所述第一方向上延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 电子器件和用于制造电子器件的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD