申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2020-05-11

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN111554747B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L27/092;H01L21/8238

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2020.09.11#实质审查的生效;2020.08.18#公开

摘要：公开了一种具有曲折结构的半导体器件及其制造方法以及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括在相对于衬底的竖直方向上曲折延伸的半导体层。半导体层包括在竖直方向上依次设置且彼此间隔开的一个或多个第一部分以及分别设于且连接到各第一部分相对两端的第二部分。对于每一个第一部分，其一个端部处的第二部分从该端部向着远离衬底的方向延伸，而其另一端部处的第二部分从该另一端部向着靠近衬底的方向延伸。在竖直方向上相邻的第一部分之间通过同一第二部分彼此连接。

主权项：1.一种半导体器件，包括：在相对于衬底的竖直方向上曲折延伸的半导体层，其中，所述半导体层包括：在竖直方向上依次设置且彼此间隔开的多个第一部分；以及分别设于且连接到各第一部分相对两端的第二部分，其中，对于每一个第一部分，其相对两端的第二部分沿着相反的方向延伸，在竖直方向上相邻的第一部分之间通过一侧端部的同一第二部分彼此连接，所述半导体层呈多个连续的弓字形；所述衬底上在第一方向上处于所述半导体层的相对两侧且与所述半导体层相接的源漏部；以及所述衬底上沿与所述第一方向相交的第二方向延伸且与所述半导体层相交的栅堆叠，其中，所述栅堆叠在所述半导体层的第一部分在竖直方向上彼此相对的表面上以及在所述半导体层的第二部分在所述第二方向上彼此相对的表面上延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 具有曲折结构的半导体器件及其制造方法及电子设备

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