申请/专利权人：苏州博创集成电路设计有限公司

申请日：2024-01-05

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117525010B

主分类号：H01L23/373

分类号：H01L23/373;H01L23/498;H01L25/07

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2024.02.27#实质审查的生效;2024.02.06#公开

摘要：本申请涉及低侧开关技术领域，特别是涉及一种集成封装的低侧开关芯片及低侧开关装置。所述集成封装的低侧开关芯片，封装框架；低侧开关，设置于所述封装框架上，包括:半导体功率模块，集成有共漏连接的第一功率管和第二功率管；控制模块，与所述半导体功率模块键合，集成有控制单元；陶瓷散热层，设置于所述封装框架与所述低侧开关之间。本申请的集成封装的低侧开关芯片，体积小、散热好。

主权项：1.一种集成封装的低侧开关芯片，其特征在于，包括：封装框架；低侧开关，设置于所述封装框架上，包括:半导体功率模块，集成有共漏连接的第一功率管和第二功率管；控制模块，与所述半导体功率模块键合，集成有控制单元，所述控制单元包括与所述第一功率管对应的第一控制电路和与所述第二功率管对应的第二控制电路；陶瓷散热层，设置于所述封装框架与所述低侧开关之间，所述陶瓷散热层和所述低侧开关之间还依次设置有第一金属层和第一导电载置层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州博创集成电路设计有限公司 一种集成封装的低侧开关芯片及低侧开关装置

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