申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司

申请日：2019-07-22

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN112543997B

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H10K59/12;H01L21/84

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2021.04.09#实质审查的生效;2021.03.23#公开

摘要：本公开提供一种阵列基板及其制造方法，该阵列基板的制造方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板的第一表面形成第一有源层，第二有源层；在所述第二有源层的远离所述衬底基板的一侧形成第二栅极；在所述第二栅极的远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层还覆盖所述第一有源层；对所述第一绝缘层图案化以在所述第二栅极的两侧形成第一通孔以暴露所述第二有源层；在所述第一通孔中以及所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的表面上沉积第一金属层；对所述第一金属层图案化，去除所述第一金属层位于所述第一有源层上方的至少一部分，以暴露所述第一绝缘层；利用图案化的第一金属层作为掩膜刻蚀所述第一绝缘层，在所述第一有源层上方形成第二通孔以暴露所述第一有源层；对露出的第一有源层进行清洗。

主权项：1.一种阵列基板的制造方法，包括：提供衬底基板，在所述衬底基板的第一表面形成第一有源层；形成第二有源层；在所述第二有源层的远离所述衬底基板的一侧形成第二栅极；在所述第二栅极的远离所述衬底基板的一侧形成第一绝缘层，所述第一绝缘层还覆盖所述第一有源层；对所述第一绝缘层图案化以在所述第二栅极的两侧形成第一通孔以暴露所述第二有源层的部分表面区域；在所述第一通孔中以及所述第一绝缘层的远离所述衬底基板的表面上沉积第一金属层；对所述第一金属层图案化，去除所述第一金属层位于所述第一有源层上方的至少一部分，以暴露所述第一绝缘层的部分表面区域；利用图案化的第一金属层作为掩膜刻蚀所述第一绝缘层，在所述第一有源层上方形成第二通孔以暴露所述第一有源层的部分表面区域；对露出的第一有源层的部分表面区域进行清洗。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法

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