申请/专利权人：厦门乾照光电股份有限公司

申请日：2023-08-08

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN220627835U

主分类号：H01L33/44

分类号：H01L33/44;H01L33/14;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权

摘要：本实用新型提供一种红光MiniLED外延结构、红光MiniLED芯片及RGBMiniLED芯片，其中MiniLED外延结构包括：堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠的第一型半导体层、第一界面层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二界面层及第二型半导体层，其中，第一界面层可避免第一型半导体层的掺杂剂扩散导致第一型限制层及第一波导层界面粗化；第二界面层可避免第二型半导体层的掺杂剂扩散导致第二型限制层及第二波导层界面粗化；同时还可避免第一型半导体层和第二型半导体层的掺杂剂扩散至有源区形成非辐射复合中心，导致可靠性降低的问题；且，第一界面、第一波导层、第二波导层及第二界面层皆包括无掺杂的半导体材料层，可有效提升有源区的晶体质量，进而提高内量子效率及光输出功率。

主权项：1.一种红光MiniLED外延结构，其特征在于，包括：生长衬底；在所述生长衬底上依次层叠的缓冲层、腐蚀截止层和堆叠结构，所述堆叠结构包括沿第一方向依次层叠的第一型半导体层、第一界面层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二界面层及第二型半导体层；所述第一界面层和所述第二界面层用于阻挡掺杂剂扩散及金属材质迁移；所述第一方向垂直于所述生长衬底，并由所述生长衬底指向所述堆叠结构；其中，所述第一型半导体层包括沿所述第一方向依次层叠的第一型欧姆接触层、第一型电流扩展层及第一型限制层；所述第二型半导体层包括沿所述第一方向依次层叠的第二型限制层、第二型电流扩展层及第二型欧姆接触层；所述第一界面层、所述第一波导层、所述第二波导层及所述第二界面层皆包括无掺杂的半导体材料层。

全文数据：

权利要求：

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