申请/专利权人：郑州鬃晶科技有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737836A

主分类号：C30B23/00

分类号：C30B23/00;C30B29/36

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，公开了一种碳化硅单晶生长装置，包括坩埚、加热坩埚的炉体、管体、驱动组件、至少两个倾斜度不同的透孔、反射体、遮挡过滤组件、测温仪；管体支撑坩埚；驱动组件驱动管体升降和旋转；透孔输导炉体不同高度的红外辐射；反射体将透孔输导的红外辐射反射；遮挡过滤组件依次使各处红外辐射单独穿过；测温仪安接收红外辐射、并输出温度信号；本发明通过反射件反射多个炉体高度的红外辐射，通过遮挡过滤组件和测温仪依次单独检测炉体不同高度的温度，检测相互干扰小，检测准确性高，并通过控制器对检测温度进行对比处理，继而使驱动组件及时动作带动坩埚智能升降，保证坩埚及碳化硅受热均匀充分，促进单晶生长。

主权项：1.一种碳化硅单晶生长装置，包括坩埚（8）和加热坩埚（8）的炉体（9）；其特征在于，还包括：管体（1），所述管体（1）竖向穿过炉体（9）底壁、其上端支撑于坩埚（8）下侧；驱动组件（2），所述驱动组件（2）连接于管体（1）下部、并驱动管体（1）升降和旋转；至少两个倾斜度不同的透孔（13），所述透孔（13）设置在所述管体（1）上端侧壁、用于输导炉体（9）不同高度的红外辐射；反射体（3），所述反射体（3）设置在管体（1）上端内侧，用于将透孔（13）输导的红外辐射反射向管体（1）下端；遮挡过滤组件（5），所述遮挡过滤组件（5）设置在管体（1）下部内侧、依次使各处红外辐射单独穿过；测温仪（4），所述测温仪（4）安装在管体（1）下端、用于接收红外辐射、并输出温度信号；控制器，所述控制器根据测温仪（4）的温度信号，控制驱动组件（2）动作、使坩埚（8）向炉体（9）温度较高处升或降。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 郑州鬃晶科技有限公司 一种碳化硅单晶生长装置

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