申请/专利权人：广西民族师范学院

申请日：2024-01-09

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117748069A

主分类号：H01P1/20

分类号：H01P1/20;H01P1/212

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种基于最弱电场法和DGS结构的二阶宽阻带滤波器，属于滤波器领域，一种基于最弱电场法和DGS结构的二阶宽阻带滤波器，包括上层金属、介质层和下层金属，该滤波器将内外耦合窗口设置在模式TE120TE210、TE220的最弱电场处，以达到抑制该模式的效果，同时，引入一种新颖的嵌套U型DGS结构，用于对TE130模式的抑制，进一步扩展滤波器的阻带宽度，对滤波器进行了加工测量，结果显示该滤波器中心频率为4.5GHz，‑3dB带宽为240MHz，相对带宽为5.3％，通带内插入损耗为‑1.2dB，‑23dB阻带可以延伸至9.4GHz即2.1倍的中心频率，仿真结果和测量结果的吻合度良好，与其他SIW滤波器相比，本滤波器采用较少的阶数就实现了相对较宽的阻带，且采用的设计方法简单，具有潜在的应用价值。

主权项：1.一种基于最弱电场法和DGS结构的二阶宽阻带滤波器，包括上层金属1、介质层2和下层金属3，其特征在于：所述介质层2的上下两侧分别设置有上层金属1和下层金属3，所述上层金属1、介质层2和下层金属3构成单层基片集成波导腔体。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广西民族师范学院 一种基于最弱电场法和DGS结构的二阶宽阻带滤波器

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