申请/专利权人：恩智浦美国有限公司

申请日：2023-08-23

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747554A

主分类号：H01L23/29

分类号：H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56;H01L29/778

优先权：["20220922 US 17/934,543"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本公开涉及具有包覆结构的晶体管及其制造方法。一种晶体管装置包括一个或多个导电结构，其上形成有包覆层，其中所述包覆层在低于阈值的温度下具有与所述导电结构的导电材料的低混溶性。这类导电结构可包括栅极控制电极或漏极和源极载流电极。形成用于晶体管装置的这类包覆导电结构可包括在衬底上形成光致抗蚀剂层，选择性地图案化所述光致抗蚀剂层以在其中形成开口，在所述光致抗蚀剂层上方和所述衬底上于所述光致抗蚀剂层中的开口中形成导电材料，以及在所述导电材料上方形成包覆层，随后执行剥离工艺，在所述剥离工艺中，去除所述光致抗蚀剂层以及所述导电材料和包覆层的不安置于所述光致抗蚀剂层中的所述开口中的部分。

主权项：1.一种晶体管装置，其特征在于，所述晶体管装置包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有上表面；控制电极，所述控制电极安置于所述半导体衬底的所述上表面上；第一载流电极，所述第一载流电极安置于所述半导体衬底的所述上表面上；以及第二载流电极，所述第二载流电极安置于所述半导体衬底的所述上表面上，其中所述控制电极、所述第一载流电极或所述第二载流电极中的至少一者包括涂布有包覆材料的导电材料，其中所述包覆材料具有与所述导电材料的低混溶性。

全文数据：

权利要求：

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