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【发明公布】液晶聚合物、薄膜与形成方法、组合物、积层材料_财团法人工业技术研究院_202311230042.X 

申请/专利权人:财团法人工业技术研究院

申请日:2023-09-22

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117736432A

主分类号:C08G69/44

分类号:C08G69/44;C08G63/60;C09K19/38;C08J5/18;C08L77/12;C08L67/00

优先权:["20220922 US 63/408,937"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要:本发明提供一种液晶聚合物、薄膜与形成方法、组合物、积层材料。该液晶聚合物包含一第一重复单元、一第二重复单元、一第三重复单元、一第四重复单元、以及一第五重复单元。该第一重复单元具有式I所示的结构、该第二重复单元具有式II所示的结构、该第三重复单元具有式III所示的结构、该第四重复单元具有式IV所示的结构、以及该第五重复单元具有式V所示的结构、式VI所示的结构、或式VII所示的结构,其中A1、A2、A3、A4、X1、Z1、R1、R2、R3、以及Q如说明书所定义。

主权项:1.一种液晶聚合物,包含一第一重复单元、一第二重复单元、一第三重复单元、一第四重复单元、以及一第五重复单元,其中该第一重复单元具有式I所示的结构、该第二重复单元具有式II所示的结构、该第三重复单元具有式III所示的结构、该第四重复单元具有式IV所示的结构、以及该第五重复单元具有式V所示的结构、式VI所示的结构、或式VII所示的结构 ,其中A1、A2、A3、与A4独立为A5、或A5-X2-A6,A5与A6独立为 X1为-O-、-NH-、或X2为单键、-O-、-NH-、C1-C8伸烷基、C5-C8伸环烷基、或Z1为C2-C20伸烯基、或取代的C2-C20伸烯基;R1独立为氢、氟、氯、C1-C6烷基、C1-C6氟烷基、或C6-C12芳香基;R2为R3独立为氢、氟、氯、C1-C6烷基、或C1-C6氟烷基;R4独立为氢、氟、氯、氰基、C1-C6烷基、C1-C6氟烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6氰基烷基、C6-C12芳香基、C7-C18芳烷基、C6-C12芳氧基、或C6-C12芳硫基;X3为单键、-O-、-NH-、Z2为单键或C1-C8伸烷基;R5为C2-C20烯基、丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、以及,Q与其键结的碳原子构成C4-C8环烯、未取代的降冰片烯、未取代的7-氧杂降冰片烯、取代的降冰片烯、或取代的7-氧杂降冰片烯。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 财团法人工业技术研究院 液晶聚合物、薄膜与形成方法、组合物、积层材料

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