申请/专利权人：东莞理工学院

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737670A

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/08;H01B5/14;H01B13/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种高透光率IHO透明导电薄膜的制备方法，经过球磨、过筛、预烧、烧结等靶材制作步骤制得In2O3掺HfO2靶材，采用磁控溅射技术，沉积厚度为500nm的IHO透明导电薄膜。溅射所采用的靶材预烧温度为1000℃，烧结温度为1100℃‑1300℃。本发明的IHO透明导电薄膜具有高的透光率平均透光率大于95％，同时原材料价廉，制备工艺简单。利用该发明制得的IHO透明导电薄膜制备相关薄膜材料电子元器件，可有效提升器件的光电性能，具有良好的应用前景。

主权项：1.一种高透光率IHO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，由以下步骤制得：1靶材制备a.将氧化铟粉末中掺杂氧化铪粉末，加去离子水混合球磨后烘干，并过分样筛；b.将过筛完的混合物中添加聚乙烯醇，加去离子水再混合球磨后烘干，并过分样筛，再用粉末压片机压制成坯体；c.将制备好的坯体进行预烧；d.将预烧后的坯体进行烧结，得到In2O3掺HfO2靶材；2清洗基片将基底放入有机溶剂中超声清洗，用去离子水冲洗后在氮气流中进行干燥；3制备导电薄膜层a.将步骤2干燥后的基底放入磁控溅射样品台上，将步骤1制得的In2O3靶材装置在相应的射频溅射靶上，再将磁控溅射系统的本底真空抽至9.0×10-6Torr；b.以高纯Ar和O2作为溅射气体，流量比控制为2:1，溅射功率为100W，溅射电流为400mA，溅射沉积IHO导电薄膜。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东莞理工学院 一种高透光率IHO透明导电薄膜的制备方法

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