申请/专利权人：江阴江化微电子材料股份有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117737733A

主分类号：C23F1/18

分类号：C23F1/18;C23F1/26;C23F1/02;H01L21/3213

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液，按质量百分比计，铜蚀刻液主要组成为：过氧化氢5％～20％、有机酸5％～20％、有机碱3％～12％、金属保护剂0～0.25％、去离子水60％～77％；铜蚀刻液的pH值为2.1～3.6；有机酸为至少两种有机酸的组合。该强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液通过优选铜蚀刻液的主要组分含量和pH值范围，加快同一基板中光刻胶分布均匀且较密集以及光刻胶分布较稀疏两种不同区域的铜钼铌层蚀刻速率，尤其是光刻胶分布较稀疏区域的蚀刻速率，使同一基板中不同区域的蚀刻时长趋于一致；缩短基板的整体蚀刻时长，提升铜钼铌金属叠层基板的蚀刻效率和蚀刻精度一致性。本发明还公开了一种基于铜蚀刻液的蚀刻方法。

主权项：1.一种强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液，其特征在于，按质量百分比计，铜蚀刻液主要组成为：过氧化氢5％～20％、有机酸5％～20％、有机碱3％～12％、金属保护剂0～0.25％、去离子水60％～77％；铜蚀刻液的pH值为2.1～3.6；所述有机酸为至少两种有机酸的组合。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江阴江化微电子材料股份有限公司 一种强化钼铌合金蚀刻的铜蚀刻液及蚀刻方法

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