申请/专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

申请日：2023-12-08

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747552A

主分类号：H01L23/13

分类号：H01L23/13;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/488;H01L21/56;H01L21/60

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种降低翘曲的扇出封装结构及其形成方法，其中扇出封装结构包括:硅基底，其具有空腔；导电盲孔，其贯穿所述硅基底，且多个所述导电盲孔围绕空腔；芯片，其布置在所述硅基底的空腔内；塑封料,其填充所述空腔以塑封所述芯片；第一布线层，其与所述导电盲孔电连接；以及第二布线层，其与所述导电盲孔及所述芯片电连接。硅基底具有空腔，导电盲孔围绕在空腔的周围，芯片位于空腔内，相比于一般的扇出型晶圆级封装，增加了硅占比，降低了翘曲。

主权项：1.一种降低翘曲的扇出封装结构，其特征在于，包括:硅基底，其具有空腔；导电盲孔，其贯穿所述硅基底，且多个所述导电盲孔围绕空腔；芯片，其布置在所述硅基底的空腔内；塑封料,其填充所述空腔以塑封所述芯片；第一布线层，其与所述导电盲孔电连接；以及第二布线层，其与所述导电盲孔及所述芯片电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种降低翘曲的扇出封装结构及其形成方法

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