申请/专利权人：量子科技长三角产业创新中心

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750872A

主分类号：H10N60/01

分类号：H10N60/01;H10N60/82;H10N60/80;G06N10/40

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请涉及超导量子电路领域，公开了一种超导量子电路及其制作方法，包括：准备超导量子电路的预制结构；预制结构包括衬底、超导薄膜层和第一光刻胶层，第一光刻胶层上第一镂空图案位于第一区域和或第二区域；刻蚀预制结构，在第一镂空图案下方形成沟道；第二区域的刻蚀深度等于超导薄膜层厚度；第一区域的刻蚀深度大于或等于超导薄膜层厚度；去除第一光刻胶层，并形成第二光刻胶层；第二光刻胶层上第二镂空图案位于第一区域或第二区域；再次刻蚀预制结构，在第二镂空图案下方形成沟道；第一区域的刻蚀总深度大于超导薄膜层厚度，第二区域的刻蚀总深度等于超导薄膜层厚度，提升超导共面波导谐振腔的内部品质因子，且不影响约瑟夫森结的制备。

主权项：1.一种超导量子电路的制作方法，其特征在于，包括：准备超导量子电路的预制结构；所述预制结构包括依次层叠的衬底、超导薄膜层和第一光刻胶层，所述第一光刻胶层上的第一镂空图案位于第一区域和或第二区域；所述第一区域为超导共面波导谐振腔区域，所述第二区域为量子比特耦合电容区域；刻蚀所述预制结构，在对应所述第一镂空图案下方形成沟道；其中，所述第二区域中的刻蚀深度等于所述超导薄膜层的厚度；当所述第一镂空图案仅位于第一区域，第一区域中的刻蚀深度大于所述超导薄膜层的厚度；当所述第一镂空图案位于第一区域和第二区域，第一区域中的刻蚀深度等于所述超导薄膜层的厚度；去除所述第一光刻胶层，并在刻蚀后的所述预制结构上形成第二光刻胶层；所述第二光刻胶层上的第二镂空图案位于所述第一区域或所述第二区域；再次刻蚀所述预制结构，在对应所述第二镂空图案下方形成沟道；其中，第一区域的刻蚀总深度大于所述超导薄膜层的厚度，第二区域的刻蚀总深度等于超导薄膜层的厚度；去除所述第二光刻胶层，得到超导量子电路。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 量子科技长三角产业创新中心 一种超导量子电路及其制作方法

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