申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117739878A

主分类号：G01B15/00

分类号：G01B15/00;G01N23/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明实施例公开了一种用于对与晶圆接触的触点的磨损程度进行判断的系统及方法，所述系统可以包括：放射性物质，所述放射性物质掺杂在所述触点中，其中，所述触点的不同位置处的放射性物质的浓度是不同的，使得当所述触点的磨损程度不同时，不同浓度的放射性物质被暴露；检测装置，所述检测装置用于检测所述触点的周围环境中的放射性强度；判定装置，所述判定装置用于根据所述强度判定所述触点的磨损程度。

主权项：1.一种用于对与晶圆接触的触点的磨损程度进行判断的系统，其特征在于，所述系统包括：放射性物质，所述放射性物质掺杂在所述触点中，其中，所述触点的不同位置处的放射性物质的浓度是不同的，使得当所述触点的磨损程度不同时，不同浓度的放射性物质被暴露；检测装置，所述检测装置用于检测所述触点的周围环境中的放射性强度；判定装置，所述判定装置用于根据所述放射性强度判定所述触点的磨损程度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司 对与晶圆接触的触点的磨损程度进行判断的系统及方法

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