申请/专利权人：武汉芯必达微电子有限公司

申请日：2023-11-30

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117742588A

主分类号：G06F3/06

分类号：G06F3/06;G06F15/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开一种使用Flash模拟EEPROM的数据存储方法及系统，方法包括：初始化Flash内预先划分好的两个存储空间，并确定两个所述存储空间的激活状态；在两个所述存储空间中查找所有的最新数据；在被写入的数据长度小于当前激活状态存储空间的剩余空间时，写入数据至当前激活状态存储空间的数据区；在被写入的数据长度大于当前激活状态存储空间的剩余空间时，交换两个存储空间的激活状态，写入数据至新激活状态存储空间的数据区。本发明通过管理两个存储空间的激活状态，交替地向两个存储数据区以特定的格式写入数据，并在初始化时仅记录数据标志头的首地址，解决当前Flash模拟EEPROM方法中Flash利用率低，且大量占用Sram问题。

主权项：1.使用FLASH模拟EEPROM的数据存储方法，其特征在于，包括：初始化Flash内预先划分好的两个存储空间，并确定两个所述存储空间的激活状态；在两个所述存储空间中查找所有的最新数据；在被写入的数据长度小于当前激活状态存储空间的剩余空间时，写入数据至当前激活状态存储空间的数据区；在被写入的数据长度大于当前激活状态存储空间的剩余空间时，交换两个存储空间的激活状态，写入数据至新激活状态存储空间的数据区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉芯必达微电子有限公司 使用Flash模拟EEPROM的数据存储方法及系统

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