申请/专利权人：中科芯集成电路有限公司

申请日：2023-11-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117746951A

主分类号：G11C16/20

分类号：G11C16/20;G11C16/16;G06F12/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及一种模拟EEPROM的电路设计方法，基于模拟EEPROM的结构、Sram和eFlash中的数据存储格式、操作时序搭建，模拟EEPROM的结构电路包含一块用于存数据的DataSram、一块用于存储映射地址和有效位的TagSram以及一块用于备份数据的eFlash。在复位结束以后，通过初始化操作把eFlash中的最新数据读取存入DataSram和TagSram；在写入EEPROM的时候，数据会写入DataSram然后再备份到eFlash并且记录到TagSram；当数据区快写满的时候，通过整理操作把最新的数据读取并且把最新的数据写到某几页的空间去，并且更新TagSram。

主权项：1.一种模拟EEPROM的电路设计方法，所述电路设计方法基于模拟EEPROM的结构、Sram和eFlash102中的数据存储格式、操作时序搭建，其特征在于，操作时序包括初始化操作、写入操作、整理操作，先要初始化操作，然后写入操作，写满的时候会发起整理操作，整理完了继续写入操作，然后循环作业；初始化操作包括如下步骤：步骤S501：遍历所有页的首地址，从第一个扇区开始，读取扇区的首地址，遍历完所有的32个区域，如果有数据页、擦除页则写入对应的寄存器；步骤S502：判断是否在活动数据页，即32个区域里是否存在活动数据区域，如果不存在活动数据区域，则初始化操作已完成，如果存在活动数据区域；步骤S503：从活动数据区域的下一个页开始，遍历该页并且加载数据，读取每页的首地址；步骤S504：判断是数据页则准备加载数据跳转到下步骤S505，否则跳转到步骤S503；步骤S505：逐条读取数据页中的有效数据以及数据的实际地址，把数据写入DataSram101同时把数据的实际地址写入对应的TagSram103并且标记为有效；步骤S506：是否所有的页已遍历完毕，如果是则初始化已完成，否则跳转到步骤S503；写入操作包括如下步骤：步骤S301，查看擦除页寄存器，是否有需要擦除但是还没有执行页擦除操作的页；判断是则跳转到步骤S304，否则跳转到步骤S302；步骤S302，查看地址指针，是否已指向活动页的最后一个地址；判断是则跳转到步骤S303，否则跳转到步骤S305；步骤S303，查看空白页寄存器，是否还有剩余；判断是则跳转到步骤S306，否则跳转到步骤S307；步骤S304，执行页擦除操作：判断是首页，则读取该页的擦除次数，把次数暂存在寄存器中，若不是首页则直接对该页进行一次页擦除操作；判断是首页，则在完成以后把擦除次数加1写回到首地址，否则不需要执行该操作，页擦除操作完成；步骤S305，对数据区的下一个空白页做初始化：判断当前有活动页，则在上一个活动页写入非活动标记；在下一个将要写入数据的空白页的首地址写入数据活动标记；步骤S306，数据写入与维护：读取TagSram103得到旧数据的映射地址以及有效位，读取DataSram101得到可能存在的旧数据；若有效位有效则跳转到下工序Ⅰ，无效则跳转到工序Ⅱ；工序Ⅰ，在旧数据的映射地址写入数据无效状态位，跳转到工序Ⅱ；工序Ⅱ，把新数据写入活动区的下一条存储位置，同时写入实际地址以及有效状态位；把新数据的映射地址写入TagSram103，并且标注为有效；步骤S307，转入整理操作；整理操作包括如下步骤：步骤S401，查看空白页寄存器，寻找一块新的页并且标记为替换区；步骤S402，从TagSram103读取有效数据，然后搬移到替换页，跳转到步骤S403；步骤S403，判断是否把的DataSram101读取完毕；若是则跳转到步骤S405，否则跳转到步骤S404；步骤S404，替换页的数据是否已经写满；若是则跳转到步骤S401，否则跳转到步骤S402；步骤S405，把除了替换页以外的数据页全部标记为等待被擦除的状态；步骤S406，把替换页的标记全部改成数据页，并且把最后一个替换页改成数据活动页。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中科芯集成电路有限公司 一种模拟EEPROM的电路设计方法

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