申请/专利权人：晶能光电股份有限公司

申请日：2023-12-18

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747732A

主分类号：H01L33/44

分类号：H01L33/44;H01L33/46;H01L33/36;H01L33/62;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明提供了一种LED芯片及LED芯片中金属叠层结构确定方法，其中，金属叠层结构在金属叠层区域从下至上依次包括：下层金属层、介电材料层及上层金属层，上层金属层和下层金属层之间通过介电材料层相互绝缘，且在预设的同一垂直位置上，上层金属层和下层金属层的至少一层中配置有镂空结构；LED芯片包括两个电极，上层金属层或下层金属层电性连接至其中一个电极，或上层金属层和下层金属层分别电性连接至两个电极。通过减小上下两层金属层在垂直方向重叠的几率，极大避免了因下层金属或绝缘层或上层金属加工中的各类缺陷而导致的上下金属导通，造成LED漏电的情况。

主权项：1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括一金属叠层结构，其特征在于，在金属叠层区域从下至上依次包括：下层金属层、介电材料层及上层金属层，所述上层金属层和下层金属层之间通过所述介电材料层相互绝缘，且在预设的同一垂直位置上，所述上层金属层和下层金属层的至少一层中配置有镂空结构；所述LED芯片包括两个电极，所述上层金属层或下层金属层电性连接至其中一个电极，或所述上层金属层和下层金属层分别电性连接至两个电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 晶能光电股份有限公司 LED芯片及LED芯片中金属叠层结构确定方法

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