申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所

申请日：2023-12-15

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747545A

主分类号：H01L21/77

分类号：H01L21/77;H01L21/768;H01L25/065;H01L25/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本申请适用于限幅器技术领域，提供了限幅器MMIC芯片及其制备方法。该限幅器MMIC芯片的制备方法包括：在硅基晶圆的上表面制备PIN二极管；在已制备PIN二极管的硅基晶圆的上表面制备绝缘介质层；将绝缘介质层与PIN二极管的P极区域和接地焊盘区域对应的部分刻蚀掉，并对硅基晶圆与接地焊盘区域对应的部分继续刻蚀至硅基晶圆的N+层；通过电镀金属在PIN二极管的P极区域和接地焊盘区域制备PIN二极管的上电极与接地焊盘；在硅基晶圆的上表面制备外围电路；在硅基晶圆的下表面制备PIN二极管的下电极；在外围电路上的植球焊盘上制备金球凸点；将GaN肖特基二级管芯片倒装焊接在植球焊盘上。本申请制备的芯片集成度高、体积小。

主权项：1.一种限幅器MMIC芯片的制备方法，其特征在于，包括：在硅基晶圆的上表面制备PIN二极管；在已制备PIN二极管的硅基晶圆的上表面制备绝缘介质层；将绝缘介质层与PIN二极管的P极区域和接地焊盘区域对应的部分刻蚀掉，并对硅基晶圆与接地焊盘区域对应的部分继续刻蚀至硅基晶圆的N+层；通过电镀金属在PIN二极管的P极区域和接地焊盘区域制备PIN二极管的上电极与接地焊盘；在硅基晶圆的上表面制备外围电路，所述外围电路上设置有植球焊盘；在硅基晶圆的下表面制备PIN二极管的下电极；在外围电路上的植球焊盘上制备金球凸点；将GaN肖特基二级管芯片倒装焊接在植球焊盘上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 限幅器MMIC芯片及其制备方法

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