申请/专利权人：株式会社迪思科;国立大学法人长冈技术科学大学;泽边厚仁;木村丰

申请日：2022-06-30

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117751208A

主分类号：C23C16/02

分类号：C23C16/02;C30B29/04;C23C16/27

优先权：["20210709 JP 2021-113975"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：金刚石成膜方法包括：基底层形成工序，通过利用了包含铱的第一原料气体的CVD法形成基底层22；以及金刚石层形成工序，通过利用了包含烃气体的第二原料气体的CVD法在基底层22上形成单晶的金刚石层23。

主权项：1.一种金刚石成膜方法，包括如下工序：基底层形成工序，通过利用了第一原料气体的CVD法形成基底层，该第一原料气体包含选自铱、铂、铑、钛和钨中的至少一种金属；以及金刚石层形成工序，通过利用了包含烃气体的第二原料气体的CVD法在所述基底层上形成单晶的金刚石层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社迪思科;国立大学法人长冈技术科学大学;泽边厚仁;木村丰 金刚石成膜方法、金刚石成膜装置、程序和金刚石材料

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