申请/专利权人：深圳市高新投三江电子股份有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117744042A

主分类号：G06F21/12

分类号：G06F21/12;G06F21/60

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种内核代码保护方法、装置、设备及存储介质。本发明通过在MCU内部增加代码读保护模块，在代码读保护模块内设置读保护安全字段；接收外部设置的读保护安全字段变更信号，其中，读保护安全字段变更信号包括读保护开启信号或读保护关闭信号；控制代码读保护模块读取保护安全字段；依据保护安全字段的值判断读保护模式处于开启状态或者关闭状态；若读保护模式处于开启状态，在调试模式下对FLASH和SRAM的非法读写操作均会被代码读保护模块判定为丢弃；若变更读保护模式处于关闭状态，控制代码读保护模块将自动触发FLASH擦除。本发明的一种内核代码保护方法能够实现对存储在FLASH中的程序代码的有效保护，可靠性高。

主权项：1.一种内核代码保护方法，其特征在于，所述一种内核代码保护方法包括：在MCU内部增加代码读保护模块，在所述代码读保护模块内设置读保护安全字段；接收外部设置的读保护安全字段变更信号，其中，所述读保护安全字段变更信号包括读保护开启信号或读保护关闭信号；控制所述代码读保护模块读取所述保护安全字段；依据所述保护安全字段的值控制读保护模式处于开启状态或者关闭状态；若所述读保护模式处于开启状态，在调试模式下对FLASH和SRAM的非法读写操作均会被所述代码读保护模块判定为丢弃；若变更所述读保护模式处于关闭状态，控制所述代码读保护模块将自动触发FLASH擦除。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市高新投三江电子股份有限公司 一种内核代码保护方法、装置、设备及存储介质

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