申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2022-06-16

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117751425A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;C23C16/52;C23C16/38;H01L21/033

优先权：["20210618 US 17/352,039"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：本公开的实施例总体涉及用于形成含硅和硼的膜的工艺，所述含硅和硼的膜用于在例如间隔件限定的图案化应用中使用。在实施例中，提供了一种间隔件限定的图案化工艺。所述工艺包括将基板设置在处理腔室的处理空间中，所述基板具有形成在基板上的图案化特征，以及使第一工艺气体流入处理空间中，第一工艺气体包含含硅物质，所述含硅物质具有比SiHU更高的分子量。所述工艺进一步包括使第二工艺气体流入处理空间中，第二工艺气体包含含硼物质，以及在沉积条件下在图案化特征上沉积保形膜，所述保形膜包含硅和硼。

主权项：1.一种间隔件限定的图案化工艺，包括以下步骤：将基板设置在处理腔室的处理空间中，所述基板具有形成在所述基板上的图案化特征；使第一工艺气体流入所述处理空间中，所述第一工艺气体包含含硅物质，所述含硅物质具有比SiH4更高的分子量；使第二工艺气体流入所述处理空间中，所述第二工艺气体包含含硼物质；以及在沉积条件下在所述图案化特征上沉积保形膜，所述保形膜包含硅和硼。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 用于沉积SIB膜的工艺

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