申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-09-19

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117750768A

主分类号：H10B41/35

分类号：H10B41/35;H10B41/41;H10B43/35;H10B43/40

优先权：["20220922 KR 10-2022-0119870"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.03.22#公开

摘要：半导体器件包括栅电极结构、第一划分图案和存储沟道结构。栅电极结构包括在第一方向上堆叠并在第二方向上延伸的栅电极。第一划分图案在第二方向上延伸穿过栅电极结构，并且在第三方向上划分栅电极结构。存储沟道结构延伸穿过栅电极结构，并且包括沟道和电荷储存结构。第一划分图案包括在第三方向上彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。第一凹槽在第一侧壁上在第二方向上彼此间隔开，并且第二凹槽在第二侧壁上在第二方向上彼此间隔开。第一凹槽和第二凹槽在第三方向上不重叠。

主权项：1.一种半导体器件，包括：栅电极结构，包括在衬底上在与所述衬底的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开的栅电极，所述栅电极中的每个栅电极在与所述衬底的上表面平行的第二方向上延伸；第一划分图案，在所述衬底上在所述第二方向上延伸穿过所述栅电极结构，所述第一划分图案在第三方向上划分所述栅电极结构，所述第三方向与所述衬底的上表面平行并且与所述第二方向交叉；以及存储沟道结构，在所述衬底上延伸穿过所述栅电极结构，所述存储沟道结构包括：沟道，在所述第一方向上延伸；以及电荷储存结构，在所述沟道的外侧壁上，其中：所述第一划分图案包括在所述第三方向上彼此相对的第一侧壁和第二侧壁，第一凹槽在所述第一划分图案的第一侧壁上在所述第二方向上彼此间隔开，并且第二凹槽在所述第一划分图案的第二侧壁上在所述第二方向上彼此间隔开，以及所述第一凹槽在所述第三方向上与所述第二凹槽不重叠。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件

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