申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所

申请日：2023-11-17

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117748082A

主分类号：H01P11/00

分类号：H01P11/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明公开了一种铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法，涉及电子元器件加工技术领域。包括以下步骤：在薄膜微带基板上依次形成TaN层、WTi层、以及Au层，在Au层上涂覆第一光刻胶，对第一光刻胶进行曝光显影后，对未曝光的区域进行刻蚀，以在薄膜微带基板上形成预定尺寸的负载柱体。在薄膜微带基板上形成完全包覆负载柱体的NiCr层，并在NiCr层上形成Au层，在Au层上涂覆第二光刻胶，对位于负载柱体两侧的第二光刻胶进行曝光显影后，对未曝光的区域进行刻蚀并使位于曝光的第二光刻胶之间的TaN层显露，从而在薄膜微带基板上形成局部负载。旨在在铁氧体隔离器薄膜微带基板的局部集成负载，以降低铁氧体隔离器环形器的体积并提高其可靠性。

主权项：1.一种铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在薄膜微带基板上依次形成TaN层、WTi层、以及Au层，在Au层上涂覆第一光刻胶，对第一光刻胶进行曝光显影后，对未曝光的区域进行刻蚀，以在薄膜微带基板上形成预定尺寸的负载柱体，所述负载柱体从下至上依次为TaN、WTi；在薄膜微带基板上形成完全包覆负载柱体的NiCr层，并在NiCr层上形成Au层，在Au层上涂覆第二光刻胶，对位于负载柱体两侧的第二光刻胶进行曝光显影后，对未曝光的区域进行刻蚀并使位于曝光的第二光刻胶之间的TaN层显露，从而在薄膜微带基板上形成局部负载；其中，位于负载柱体两侧被曝光的光刻胶之间的距离小于负载柱的宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第四十三研究所 铁氧体隔离器薄膜微带基板局部负载的制作方法

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